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低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器

宣布日期：2016-06-30 点击次数： 10635

本发明涉及半导体核辐射探测器使用的光电二极管和一级前置放大器的场效应管。。。。。。。现有的核辐射探测器使用的光电二极管和场效应管为两个部件，，，，，，，，牢靠在统一基板上，，，，，，，，相互毗毗邻纳金丝点焊。。。。。。。由于金丝有约莫10mm长，，，，，，，，其漫衍电容约莫在0.2pf左右。。。。。。。
本发明将光电二极管和场效应管光刻在统一片硅片上，，，，，，，，这样场效应管栅极和光电二极管之间险些是直接相连，，，，，，，，大大降低漫衍电容，，，，，，，，其漫衍电容约莫在0.01~0.02pf。。。。。。。因此该系统因漫衍电容爆发的噪声远小于现有的核辐射探测器。。。。。。。

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